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Si4890BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
V GS = 10 V thr u 5 V
4 V
2.0
40
1.5
30
1.0
20
10
0
3 V
0.5
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T J = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.016
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.014
0.012
V GS = 4.5 V
1600
1200
C iss
0.010
0.008
V GS = 10 V
800
400
C oss
0.006
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
6
12
18
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 10 A
V DS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 10 V
1.5
V DS = 15 V
6
V DS = 20 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
0.9
2
0
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69502
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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